Laserdiodenstapel mit Tunnelübergängen und verringerter Gitterfehlanpassung zum GaAs-Substrat

EP2009753 Art A1 31. Dezember 2008

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2009753
Aktenzeichen: EP08009484
Anmeldetag: 23. Mai 2008
Veröffentlichung: 31. Dezember 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/40// H01S5/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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