Transistor und Verfahren dafür mit Zweischicht-Passivierung
EP2011155
Art A2
7. Januar 2009
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2011155
- Aktenzeichen
- EP07758334
- Anmeldetag
- 12. März 2007
- Veröffentlichung
- 7. Januar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/812H01L21/338
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.413 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
-
Treleven, Colin
NoneBasingstoke
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse