Festkörperlaser Mt Räumlich Abgestimmter Aktivionenkonzentration unter Verwendung von Valenzumwandlung mit Oberfächenmaskierung

EP2011201 Art B1 21. Februar 2018

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2011201
Aktenzeichen
EP07753744
Anmeldetag
22. März 2007
Veröffentlichung
21. Februar 2018
Erteilung
21. Februar 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01S3/06H01S3/16
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Raytheon Company
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

3.397 Patente in unserer Datenbank

Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen