Nichtflüchtige Zweitransistor-Halbleiterspeicherzelle sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
EP2012359
Art B1
6. Juli 2016
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2012359
- Aktenzeichen
- EP08167292
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 6. Juli 2016
- Erteilung
- 6. Juli 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L21/8247
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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