Maskenstruktur für die Herstellung eines Grabenartigen Halbleiterbauelements
EP2013661
Art A2
14. Januar 2009
Anmelder: Siliconix Technology C.V., International Rectifier Corporation 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2013661
- Aktenzeichen
- EP07755960
- Anmeldetag
- 24. April 2007
- Veröffentlichung
- 14. Januar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/04H01L21/308H01L29/10H01L29/808
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Siliconix Technology C.V.
International Rectifier Corporation - Land
- 🇸🇬 Singapur
🇺🇸
International Rectifier
International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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Ebner von Eschenbach, Jennifer
NoneMünchen