Regenerative Gate-Treiberschaltung für einen Leistungs-Mosfet
EP2013956
Art B1
2. November 2011
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2013956
- Aktenzeichen
- EP07809031
- Anmeldetag
- 27. April 2007
- Veröffentlichung
- 2. November 2011
- Erteilung
- 2. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/0412H03K17/16// H02J1/00H02J3/00H02M1/088
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Vertreten von
Jones, Graham Henry
London, Großbritannien
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