MOS-Transistor mit frei hängendem Gate und nichtflüchtiger Funktionsweise mit piezoelektrische Aktivierung und Herstellungsverfahren desselben
EP2014611
Art B1
7. September 2011
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2014611
- Aktenzeichen
- EP08159904
- Anmeldetag
- 8. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 7. September 2011
- Erteilung
- 7. September 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81B3/00B81B7/02G11C23/00H01L21/28H01L21/336H01L29/423H01L29/51H01L29/68H01L29/49H01L29/78// H01L27/20H01L41/09
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
2.520
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23
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