Poröse Halbleiterschicht auf einem Substrat
EP2015325
Art A3
25. November 2009
Anmelder: Sony Deutschland GmbH, Sony Corporation 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2015325
- Aktenzeichen
- EP08018079
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 25. November 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01G9/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sony Deutschland GmbH
Sony Corporation - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇯🇵
Sony Group
Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.
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Fachgebiete
Kanzlei
Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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