Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Isolator-Schichtsystem-Substrats für die Mikroelektronik und Optoelektronik

EP2015349 Art B1 10. April 2013

Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2015349
Aktenzeichen
EP08159811
Anmeldetag
7. Juli 2008
Veröffentlichung
10. April 2013
Erteilung
10. April 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen