Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Strukturen mit Luft als Dielektrikum
EP2015355
Art A3
6. Januar 2010
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2015355
- Aktenzeichen
- EP08167853
- Anmeldetag
- 9. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 6. Januar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Karl, Frank
Baldham, Deutschland
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