Verfahren eines auf der Epitaxialen Lateral-Überwachstums-Galliumnitrid Vorlage Gewachsenen Zinkoxidfilms
EP2016614
Art A1
21. Januar 2009
Anmelder: National University of Singapore 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2016614
- Aktenzeichen
- EP07748662
- Anmeldetag
- 25. April 2007
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/36H01L21/02H01L33/00C30B25/02C30B25/18C30B29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National University of Singapore
- Land
- 🇸🇬 Singapur
🇸🇬
National University of Singapore
Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.
1.152 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kazi, Ilya
London, Großbritannien
4.087
Patente gesamt
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Fachgebiete
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Weitere Vertreter
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Epping - Hermann - Fischer
Epping - Hermann - Fischer · München
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NoneCagnes-sur-Mer