Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-Iii-Nitrid-Kristalls, Gruppe-Iii-Nitrid-Kristallsubstrat und Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleitervorrichtung

EP2017375 Art A1 21. Januar 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2017375
Aktenzeichen: EP07831921
Anmeldetag: 15. November 2007
Veröffentlichung: 21. Januar 2009
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/38C30B19/12H01L21/205H01L21/208H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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