Behandlungsverfahren von Wandabschnitten einer Öffnung in einem Siliziumsubstrat
EP2017879
Art A2
21. Januar 2009
Anmelder: STMICROELECTRONICS SA 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2017879
- Aktenzeichen
- EP08160591
- Anmeldetag
- 17. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/033H01L21/308H01L21/265H01L21/266
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMICROELECTRONICS SA
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
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