Verfahren zur Herstellung einer aktiven Halbleiterschicht und Herstellungsverfahren für einen Dünnfilm-Transistor, das dieses verwendet

EP2017881 Art B1 27. November 2013

Anmelder: Samsung Display Co., Ltd., Samsung Mobile Display Co., Ltd., Samsung SDI Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2017881
Aktenzeichen
EP08160476
Anmeldetag
16. Juli 2008
Veröffentlichung
27. November 2013
Erteilung
27. November 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/02H01L21/363C23C14/08C23C14/34
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Samsung Display Co., Ltd.
Samsung Mobile Display Co., Ltd.
Samsung SDI Co., Ltd.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Samsung Display

Südkoreanisches Tochterunternehmen der Samsung-Gruppe, das Displaypanels wie OLED- und LCD-Bildschirme für Smartphones, Fernseher und weitere Elektronikgeräte entwickelt und herstellt.

5.709 Patente in unserer Datenbank

🇰🇷 Samsung SDI

Südkoreanisches Unternehmen der Samsung-Gruppe, das Batterien und Energiespeichersysteme für Elektrofahrzeuge, Elektronikgeräte und stationäre Anwendungen entwickelt und produziert.

1.775 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen