Verfahren zur Herstellung einer Kontaktmetallisierung für einen Leistungs-Mosfet und Zugehöriges Bauelement

EP2018662 Art B1 1. Mai 2019

Anmelder: Vishay-Siliconix 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2018662
Aktenzeichen
EP07809066
Anmeldetag
11. Mai 2007
Veröffentlichung
1. Mai 2019
Erteilung
1. Mai 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/321H01L21/768H01L23/532// H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Vishay-Siliconix
Land
🇺🇸 USA
Kanzlei
Ladas & Parry LLP
969
Patente gesamt
1
Patentanwälte
1
Standorte
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