Verfahren zur Herstellung einer Kontaktmetallisierung für einen Leistungs-Mosfet und Zugehöriges Bauelement
EP2018662
Art B1
1. Mai 2019
Anmelder: Vishay-Siliconix 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2018662
- Aktenzeichen
- EP07809066
- Anmeldetag
- 11. Mai 2007
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2019
- Erteilung
- 1. Mai 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/321H01L21/768H01L23/532// H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Vishay-Siliconix
- Land
- 🇺🇸 USA
Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Ebner von Eschenbach, Jennifer
NoneMünchen