Halbleiterbauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP2020683 Art A1 4. Februar 2009

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2020683
Aktenzeichen
EP07707889
Anmeldetag
1. Februar 2007
Veröffentlichung
4. Februar 2009
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/36H01L25/07H01L25/11H01L25/18H01L23/373
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen