Verfahren zur Herstellung eines Gate-Dielektrikums eines Feldeffekttransistors
EP2022091
Art A1
11. Februar 2009
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2022091
- Aktenzeichen
- EP07783126
- Anmeldetag
- 2. Mai 2007
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L21/336
Abstract
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Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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