Verfahren und Vorrichtung zum Durchbrechen eines Verbundssubstrats mittels einer brüchigen Trennebene
EP2023380
Art A1
11. Februar 2009
Anmelder: Soitec, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2023380
- Aktenzeichen
- EP08160680
- Anmeldetag
- 18. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/18H01L21/762H01L21/00
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Boura, Olivier
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