Verfahren zum Selektiven Bilden einer Atomisch Flachen Ebene auf einer Diamantoberfläche, durch das Verfahren Hergestelltes Diamantsubstrat und Halbleiterelement damit
EP2023381
Art A1
11. Februar 2009
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2023381
- Aktenzeichen
- EP07742189
- Anmeldetag
- 23. April 2007
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205H01L21/02C23C16/27C23C16/511C30B29/04C30B25/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hall, Matthew Benjamin
London, Großbritannien
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