Verfahren zur Vergrösserung des Gütefaktors einer Induktivität in einer Halbleiteranordnung
EP2024990
Art B1
29. Juni 2011
Anmelder: IPDIA, NXP B.V. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2024990
- Aktenzeichen
- EP07735905
- Anmeldetag
- 15. Mai 2007
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2011
- Erteilung
- 29. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L27/08H01L23/522H01L21/265H01L21/266
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IPDIA
NXP B.V. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Vignesoult, Serge L. M
Aubervilliers, Frankreich
138
Patente gesamt
21
Fachgebiete
6
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Schouten, Marcus Maria
NoneEindhoven
-
Röggla, Harald
NoneWien