Halbleiter mit Verbesserter Gate-To-Drain-Durchschlagspannung
EP2033210
Art A2
11. März 2009
Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2033210
- Aktenzeichen
- EP07809250
- Anmeldetag
- 31. Mai 2007
- Veröffentlichung
- 11. März 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00H01L27/10H01L29/80
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Northrop Grumman Systems Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northrop Grumman
US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.
1.414 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Gray, Helen Mary
München, Deutschland
101
Patente gesamt
16
Fachgebiete
8
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Schmidt, Karsten
NoneMünchen