Verfahren zur Herstellung von Aln-Kristall-Substrat, Verfahren zum Ziehen eines Kristalls und Aln-Kristall-Substrat

EP2037012 Art A1 18. März 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2037012
Aktenzeichen: EP07745331
Anmeldetag: 15. Juni 2007
Veröffentlichung: 18. März 2009
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/38H01L21/20H01L21/203H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von