Mehrfach-Gate Feldeffekttransistorstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren

EP2037492 Art A1 18. März 2009

Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC Silicon Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2037492
Aktenzeichen: EP07291089
Anmeldetag: 11. September 2007
Veröffentlichung: 18. März 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.TEC Silicon Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von