Anlage und Verfahren zur Grossvolumigen Abscheidung von Galliumnitrid
EP2038456
Art B1
5. März 2014
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2038456
- Aktenzeichen
- EP07812070
- Anmeldetag
- 8. Juni 2007
- Veröffentlichung
- 5. März 2014
- Erteilung
- 5. März 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/40C30B25/16C30B25/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes