Verfahren zur Herstellung einer Nanodraht-Halbleitervorrichtung
EP2038919
Art B1
11. März 2015
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2038919
- Aktenzeichen
- EP07766771
- Anmeldetag
- 18. Juni 2007
- Veröffentlichung
- 11. März 2015
- Erteilung
- 11. März 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/775H01L29/06H01L29/66B82Y40/00B82Y10/00H01L21/321H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Röggla, Harald
NoneWien