Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

EP2040301 Art A3 1. Juli 2009

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2040301
Aktenzeichen
EP08014432
Anmeldetag
13. August 2008
Veröffentlichung
1. Juli 2009
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/739H01L21/04H01L29/08// H01L29/24
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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