Kondensatorlose 1-Transisitor-Dram-Zelle, Integrierte Schaltung mit Anordnung aus Kondensatorlosen 1-Transistor-Dram-Zellen und Verfahren zur Herstellung von Anorndungen aus Kondensatorlosen 1-Transistor-Dram-Zellen
EP2041796
Art A2
1. April 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2041796
- Aktenzeichen
- EP07796409
- Anmeldetag
- 25. Juni 2007
- Veröffentlichung
- 1. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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