Schottky-Barrierendiode und Herstellungsverfahren dafür

EP2043157 Art A1 1. April 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2043157
Aktenzeichen: EP08722464
Anmeldetag: 19. März 2008
Veröffentlichung: 1. April 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/872H01L21/329

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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