Doppelgate-Transistor und Herstellungsverfahren dafür
EP2044619
Art A2
8. April 2009
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2044619
- Aktenzeichen
- EP07766657
- Anmeldetag
- 6. Juni 2007
- Veröffentlichung
- 8. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/8247H01L27/115H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Röggla, Harald
NoneWien