Verfahren zur Herstellung eines GaN-Substrats und eines Epitaxialwafers

EP2045374 Art A3 16. Februar 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2045374
Aktenzeichen: EP08016900
Anmeldetag: 25. September 2008
Veröffentlichung: 16. Februar 2011
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/18C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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