Verfahren zur Verringerung der Dislokation in Gruppe-Iii-Nitridkristall und Substrat für Epitaxialwachstum
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2045835
- Aktenzeichen
- EP07790981
- Anmeldetag
- 19. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 8. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20C30B29/38C30B33/02H01L21/324H01L33/00H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
DOWA Electronics Materials Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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DOWA Electronics Materials ist ein japanisches Unternehmen der DOWA-Gruppe für elektronische Werkstoffe und Metallpulver. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch anorganische Chemie und Metallurgie. Anmeldungen reichen von 2001 bis in die Gegenwart.
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