Verfahren zur Verringerung der Dislokation in Gruppe-Iii-Nitridkristall und Substrat für Epitaxialwachstum
EP2045835
Art A1
8. April 2009
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2045835
- Aktenzeichen
- EP07790981
- Anmeldetag
- 19. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 8. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20C30B29/38C30B33/02H01L21/324H01L33/00H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
DOWA Electronics Materials Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
3.021 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Paget, Hugh Charles Edward
London, Großbritannien
2.000
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