Leitfähige Substratstruktur mit kontrollierter Nanostäbchendichte und Herstellungsverfahren dafür

EP2045849 Art A2 8. April 2009

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2045849
Aktenzeichen: EP08155641
Anmeldetag: 5. Mai 2008
Veröffentlichung: 8. April 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L51/52H01L51/44

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Electronics and Telecommunications Research Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von