Entfernung einer Kante einer SOI-Transferhalbleiterscheibe
EP2048701
Art A3
29. April 2009
Anmelder: Soitec, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies, Applied Materials, Inc. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2048701
- Aktenzeichen
- EP08022218
- Anmeldetag
- 24. November 2005
- Veröffentlichung
- 29. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/304H01L21/762H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
Applied Materials, Inc. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
6.825 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes
-
Bayliss, Geoffrey Cyril
NoneLondon