Entfernung einer Kante einer SOI-Transferhalbleiterscheibe
Anmelder: Soitec, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies, Applied Materials, Inc. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2048701
- Aktenzeichen
- EP08022218
- Anmeldetag
- 24. November 2005
- Veröffentlichung
- 29. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/304H01L21/762H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
Applied Materials, Inc. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
801 Patente in unserer Datenbank
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
10.787 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes
-
Bayliss, Geoffrey Cyril
NoneLondon