Reaktor und Verfahren zur Herstellung von Nitrid-Basierten Halbleiter
EP2051286
Art B1
10. Oktober 2012
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2051286
- Aktenzeichen
- EP07792441
- Anmeldetag
- 7. August 2007
- Veröffentlichung
- 10. Oktober 2012
- Erteilung
- 10. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205C23C16/44C30B25/08C30B29/38C30B35/00C30B25/12C30B29/40C23C16/30C23C16/458
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
828 Patente in unserer Datenbank