Synthetisch-ferrimagnetische Prüfschicht für hochdichte MRAM-Anwendungen
EP2053613
Art A1
29. April 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2053613
- Aktenzeichen
- EP08019584
- Anmeldetag
- 14. März 2003
- Veröffentlichung
- 29. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
1.676
Patente gesamt
34
Fachgebiete
24
Anmelder-Länder
Schwerpunkte