Verfahren zur Bildung einer dielektrischen Schicht in Gräben

EP2053641 Art A3 8. August 2012

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2053641
Aktenzeichen: EP08167334
Anmeldetag: 22. Oktober 2008
Veröffentlichung: 8. August 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/316C23C16/34C23C16/40H01L21/3105C23C16/452C23C16/56H01L21/318H01L21/768// H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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