Halbleitervorrichtung mit dualer Austrittsarbeit und Verfahren zu deren Herstellung
EP2053653
Art A1
29. April 2009
Anmelder: IMEC, Samsung Electronics Co., Ltd., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. (TSMC), INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2053653
- Aktenzeichen
- EP08157793
- Anmeldetag
- 6. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 29. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L21/8238H01L29/51H01L27/088H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
Samsung Electronics Co., Ltd.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. (TSMC)
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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🇰🇷
Samsung Electronics
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
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Vertreten von
Bird, William Edward
Heverlee, Belgien
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