Dram-Transistor mit Eingelassenen Toren und Herstellungsverfahren dafür
EP2054928
Art A1
6. Mai 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2054928
- Aktenzeichen
- EP07810696
- Anmeldetag
- 24. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 6. Mai 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242G11C11/401H01L21/336H01L29/423H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
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