Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung und Feldeffekttransistor

EP2055811 Art A2 6. Mai 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2055811
Aktenzeichen: EP08018393
Anmeldetag: 21. Oktober 2008
Veröffentlichung: 6. Mai 2009
Rechtsraum: EP
IPC: C30B11/00C30B15/20C30B15/26C30B25/04H01L29/772C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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