Siliziumeinkristallines Halbleiterwachstumsverfahren mit verbesserten Sauerstoffkonzentrationseigenschaften

EP2055812 Art B1 13. April 2016

Anmelder: Siltron Inc. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2055812
Aktenzeichen
EP08018849
Anmeldetag
28. Oktober 2008
Veröffentlichung
13. April 2016
Erteilung
13. April 2016
Rechtsraum
EP
IPC
C30B15/30C30B29/06C30B30/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Siltron Inc.
Land
🇰🇷 Südkorea

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik
Vertreten von
Hruschka, Jürgen München, Deutschland
51
Patente gesamt
22
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Maschinenelemente & Fluidtechnik Optik & Fototechnik Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff) Halbleiter & Elektrische Bauelemente Verfahrens- & Trenntechnik Kunststoff- & Polymertechnik
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