Hochgeschwindigkeits-DRAM-Architektur mit einheitlicher Zugriffslatenz

EP2056301 Art B1 30. November 2011

Anmelder: Mosaid Technologies Incorporated 🇨🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2056301
Aktenzeichen
EP09151003
Anmeldetag
29. Juni 2001
Veröffentlichung
30. November 2011
Erteilung
30. November 2011
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/406G11C7/22
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Mosaid Technologies Incorporated
Land
🇨🇦 Kanada
🇨🇦 Mosaid Technologies

Mosaid Technologies war ein kanadisches Unternehmen für Halbleiterdesign und Patentlizenzierung im Speicherbereich. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Akustik- und Datenspeichertechnik sowie Software und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Elektronik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2019 betreffen unter anderem Netzzugangsdienste und Ringtopologie-Statusanzeigen.

310 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen