Hochgeschwindigkeits-DRAM-Architektur mit einheitlicher Zugriffslatenz
EP2056301
Art B1
30. November 2011
Anmelder: Mosaid Technologies Incorporated 🇨🇦
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2056301
- Aktenzeichen
- EP09151003
- Anmeldetag
- 29. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 30. November 2011
- Erteilung
- 30. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/406G11C7/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mosaid Technologies Incorporated
- Land
- 🇨🇦 Kanada
🇨🇦
Mosaid Technologies
Mosaid Technologies war ein kanadisches Unternehmen für Halbleiterdesign und Patentlizenzierung im Speicherbereich. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Akustik- und Datenspeichertechnik sowie Software und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Elektronik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2019 betreffen unter anderem Netzzugangsdienste und Ringtopologie-Statusanzeigen.
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