Verfahren zum Plasmaätzen einer dielektrischen Zwischenschicht auf einer integrierten Schaltung
EP2057669
Art A2
13. Mai 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2057669
- Aktenzeichen
- EP07837078
- Anmeldetag
- 20. August 2007
- Veröffentlichung
- 13. Mai 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
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