Halbleiterspeicher mit segmentierter Zeilenreparation
EP2058820
Art A1
13. Mai 2009
Anmelder: Mosaid Technologies Incorporated, Micron Technology, Inc. 🇨🇦
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2058820
- Aktenzeichen
- EP09001943
- Anmeldetag
- 7. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 13. Mai 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mosaid Technologies Incorporated
Micron Technology, Inc. - Land
- 🇨🇦 Kanada
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Manke, Lars
Hamburg, Deutschland
19
Patente gesamt
12
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Maury, Richard Philip
NoneSt. Albans