Verfahren zur Herstellung einer n-dotierten Zone in einem Halbleiterwafer und Halbleiterbauelement

EP2058846 Art B1 31. August 2011

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2058846
Aktenzeichen: EP09150636
Anmeldetag: 19. Januar 2007
Veröffentlichung: 31. August 2011
Erteilung: 31. August 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/322H01L21/265H01L21/263

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies Austria AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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