Verfahren zum Wachsen von Gruppe III-Nitrid-Halbleiterkristallen, Herstellungsverfahren für Gruppe III-Nitrid-Halbleitersubstrate und Gruppe III-Nitrid-Halbleitersubstrate

EP2063457 Art A3 30. Mai 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2063457
Aktenzeichen: EP08020194
Anmeldetag: 19. November 2008
Veröffentlichung: 30. Mai 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205H01L21/02// H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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