Verfahren zum Wachsen von Gruppe III-Nitrid-Halbleiterkristallen, Herstellungsverfahren für Gruppe III-Nitrid-Halbleitersubstrate und Gruppe III-Nitrid-Halbleitersubstrate

EP2063458 Art A2 27. Mai 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2063458
Aktenzeichen: EP08020195
Anmeldetag: 19. November 2008
Veröffentlichung: 27. Mai 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205// H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von