Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2064732
Art A1
3. Juni 2009
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2064732
- Aktenzeichen
- EP07830230
- Anmeldetag
- 15. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 3. Juni 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28G09F9/00H01L21/02H01L27/12H01L27/28H01L29/786H01L41/08H01L41/193H01L45/00H01L49/00H01L51/05H01L51/50H05B33/02H05B33/10H05B33/26H01L27/20H01L51/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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