Herstellung einer Kontaktstruktur in einer Halbleitervorrichtung

EP2064738 Art A1 3. Juni 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2064738
Aktenzeichen
EP07826269
Anmeldetag
5. September 2007
Veröffentlichung
3. Juni 2009
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768H01L21/8242
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.918 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen