Herstellungsverfahren für ein GaN-Substrat, GaN-Substrat und Halbleitervorrichtung

EP2065490 Art A1 3. Juni 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2065490
Aktenzeichen: EP08020043
Anmeldetag: 17. November 2008
Veröffentlichung: 3. Juni 2009
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/40H01L29/06H01L21/302

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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