Galliumnitrid-Halbleiterkristall-Substrat und Halbleitervorrichtung

EP2065491 Art B1 19. Juni 2019

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2065491
Aktenzeichen
EP08020196
Anmeldetag
19. November 2008
Veröffentlichung
19. Juni 2019
Erteilung
19. Juni 2019
Rechtsraum
EP
IPC
C30B25/02C30B29/40H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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